特許
J-GLOBAL ID:200903013952517740

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅井 章弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-226374
公開番号(公開出願番号):特開平6-061184
出願日: 1992年08月03日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】 加熱手段とヒートパイプを設けて上部電極の精度の良い温度制御を行う。【構成】 処理容器2内に上部電極10と下部電極8を有してこれらの間に発生するプラズマにより被処理体Wを処理するプラズマ処理装置において、上記上部電極10に加熱手段14を設けると共に、この加熱手段14の近傍に放熱用のヒートパイプ40を設けて制御手段36により加熱手段14の発熱量を制御する。これにより、ホットアンドクール方式による温度制御により上部電極の温度を精度良く制御する。
請求項(抜粋):
処理容器内の上部電極と下部電極との間に発生したプラズマにより被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記上部電極の上部に加熱手段を形成し、この加熱手段の近傍に放熱用のヒートパイプを設け、前記上部電極を所定の温度に維持するために前記加熱手段の発熱量を制御する制御手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • 特開平4-181724
  • 特開平1-211921
  • 特開昭63-115338
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