特許
J-GLOBAL ID：200903013956347947
半田接合方法並びに電子装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216196
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 Snを主成分とした半田材料を用いた場合であっても、良好な接合状態を得ることができる半田接合方法並びに電子装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の電極30と、Snを主成分とする半田バンプ18が上面に形成された第2の電極16とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、第1の電極30及び/又は第2の電極16は、NiとPとを含む合金層、NiとBとを含む合金層、又はNiとWとPとを含む合金層より成る金属層14、26を有している。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、Snを主成分とする半田バンプが上面に形成された第2の電極とを半田接合する工程を有する半田接合方法であって、前記第1の電極及び/又は前記第2の電極は、NiとPとを含む合金層、NiとBとを含む合金層、又はNiとWとPとを含む合金層より成る金属層を有することを特徴とする半田接合方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 J
, H01L 21/92 603 F
, H01L 21/92 603 B
, H01L 21/92 604 R
, H01L 21/92 604 H
5F044KK13
, 5F044LL01
, 5F044QQ05
, 5F044QQ06
