絶縁磁器およびその製造方法並びに多層配線基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330793
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187765
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】IC等のデバイスに影響を与えるαカウントの高い天然鉱物を用いることがなく、低温焼成(900〜1050°C)が可能で銅を導体材料とすることができ、低コストの絶縁磁器を提供する。【構成】酸化物に換算してSiO2 を35〜60重量%、Al2 O3 を20〜53重量%、MgO,CaOのうち少なくとも一種を1〜15重量%、Na2 O,K2 OおよびLi2 Oのうち2種を合計で1〜10重量%含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

SiO2 を35〜60重量%、Al2 O3 を20〜53重量%、MgO,CaOのうち少なくとも一種を1〜15重量%、Na2 O,K2 OおよびLi2 Oのうち2種を合計で1〜10重量%含有することを特徴とする絶縁磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/18 , H05K 1/03 , H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-122159
特開昭60-137869

前のページに戻る