特許

J-GLOBAL ID：200903013959208310

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 野中 裕介
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-044388
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237829
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 浅溝素子分離法を用いた半導体集積回路装置において、MOSFETのしきい値電圧の低下およびそのVg-Id特性における線形領域に見られるキンクの発生を防止する。【解決手段】 半導体基板1の主面に形成されたp形ウェル5およびn形ウェル6と、半導体基板1の主面に形成された素子分離領域である埋込形の酸化シリコン2との境界部分であって、pチャネル形MOSFETQpおよびnチャネル形MOSFETQnのゲート電極10の下部に、高濃度p形不純物領域7および高濃度n形不純物領域8を形成する。また、酸化シリコン2の下部には、高濃度n形不純物領域3および高濃度p形不純物領域4を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板主面に形成された浅溝に埋め込まれ、前記半導体基板主面上に形成された半導体集積回路素子を電気的に分離するための誘電体領域と、前記誘電体領域に囲まれ、ウェルおよびしきい値電圧調整用不純物層を有する活性領域と、を含む半導体集積回路装置であって、前記活性領域の前記誘電体領域との境界部分には、前記ウェルの導電形と同一の導電形を示す不純物が高濃度に導入されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

FI (2件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 27/08 331 C