特許

J-GLOBAL ID：200903013961234824

珪化物使用の透明連結部分を有する半導体デバイスおよびその製法

発明者： グレゴリー、エス.スコット ,  エマヌエル、デ、ムイゾン ,  マーチン、エイチ.マンリー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-606036
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539636
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】リバースエンジニアリングを防止するために有用な半導体デバイスおよびその方法は、半導体デバイスの基板領域上に2つのアクティブ領域を形成することを含む。実施形態の例によれば、2つの高濃度ドーピング領域の間のドーピング可能な連結または領域を、第1の極性型を達成するようにドーピングすることができ、ここで2つの高濃度ドーピング領域は反対極性である。設計要求で求められた場合は、ドーピング可能領域は、2つの高濃度ドーピング領域を導電的に連結するように構成される。誘電体がドーピング可能領域の上に形成され、2つの高濃度ドーピング領域の各々の一部分に上に延び、ドーピング可能な領域の縁部上での珪化物形成を阻止する。サリサイドプロセスと関連して、その時には、珪化物が誘電体に隣接して形成され、さらに2つの高濃度ドーピング領域の別の部分の上に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの基板領域上の2つの領域と; 前記2つの領域の間のドーピング可能領域であって、前記基板領域が第1の極性型を達成するようにドーピングされ、前記2つの領域が前記第1の極性型と反対の第2の極性型を達成するようにドーピングされ、さらに前記ドーピング可能領域が前記第2の極性型を達成するようにドーピングされた時に前記2つの領域を選択的に連結するように構成された、前記ドーピング可能領域と、 前記ドーピング可能領域上に形成され前記2つの領域の各々の一部分の上に延びる誘電体であって、ここで前記誘電体が前記ドーピング可能領域の縁部の上で珪化物の生成を阻止するように構成された、前記誘電体と、 前記2つの領域の少なくとも1つの別の部分上の前記誘電体に隣接する珪化物生成部分と、を含む半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088

FI (5件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 27/04 A ,  H01L 21/88 P ,  H01L 27/08 102 A

Fターム (30件)：

4M104BB19 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG13 ,  4M104GG14 ,  5F033HH01 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033LL04 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F038CA02 ,  5F038DF10 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13