特許

J-GLOBAL ID：200903013961382025

磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いた半導体記憶装置、およびこれらの製造方法

発明者： 梶山 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111096
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 リソグラフの最小寸法以下のトンネル電流型磁気抵抗素子の製造を実現する。【解決手段】 半導体下地層に下部配線を形成し、下部配線および半導体下地層を覆って層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、下部配線に到達するダマシン溝をリソグラフの最小寸法で形成する。記ダマシン溝の内壁に、第1磁性層、トンネル絶縁膜、および第2磁性層をこの順で堆積し、さらに、ダマシン溝内部の第2磁性層上の空間にマスク材料を埋め込む。層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第1磁性層、トンネル絶縁膜、および第2磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。最後にマスク材を除去し、上部電極に接続されるビット線を形成する。

請求項（抜粋）：

下部配線と、前記下部配線上に位置し、第1の磁性材料で、前記下部配線の線幅以下の寸法で形成される下部電極と、前記下部配線上に位置するトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶膜上に位置し、第2の磁性材料で形成される上部電極と、を備える磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (11件)：

2G017AA01 ,  2G017AC08 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40