特許
J-GLOBAL ID:200903013964698600
半導体パッケージ
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-188419
公開番号(公開出願番号):特開2001-332657
出願日: 2000年05月19日
公開日(公表日): 2001年11月30日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】低コストで、接続の信頼性の高いパッケージを実現すること。【解決手段】半導体チップ90を搭載する半導体パッケージにおいて、樹脂流れが少ない熱可塑性樹脂で加熱時に結晶化が進み融点が上昇する接着性を有する絶縁層10を有する基材を用いる。また、該絶縁層10を有する基材に穴を設けて、該穴を金メッキで充填し、さらに該金メッキを生長させて金バンプ40を形成し、該バンプ40を介して半導体チップ90の接続端子と基板の接続端子を接続する。また、該基材に穴30を設けて、該穴30に柱状金メッキを形成し、該柱状金メッキを介して半導体チップ90の接続端子と基板の接続端子を接続する。
請求項(抜粋):
半導体チップを搭載するための半導体パッケージにおいて、樹脂流れが少ない熱可塑性樹脂で加熱時に結晶化が進み融点が上昇する接着性を有する絶縁層、該接着性を有する絶縁層に被着した金属回路層を有する半導体パッケージ。
IPC (3件):
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 23/28
FI (5件):
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 501 S
, H01L 23/12 501 V
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/12 N
Fターム (3件):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109EA12
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