特許

J-GLOBAL ID：200903013966922648

半導体レーザ

発明者： 武本 彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106685
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 活性層以外の経路を流れるリーク電流を低減し、高出力,高温動作可能な半導体レーザを得る。【構成】 第1導電型のクラッド層と活性層の間、あるいは、第2導電型のクラッド層と活性層の間の少なくとも一方に、活性層の禁制帯幅とクラッド層の禁制帯幅の間の禁制帯幅を有する薄い層を形成した。【効果】 活性層を流れる電流が流れ易くなり、相対的にリーク電流が流れにくくなり、高出力,高温動作が可能な半導体レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に気相成長法により結晶成長された、活性層をp型,及びn型クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造の半導体積層構造と、該半導体積層構造をリッジストライプ形状に成形する2本のエッチング溝内に埋め込み成長された電流ブロック層とを有する半導体レーザにおいて、上記活性層と上記p型クラッド層との間に形成された、その禁制帯幅がp型クラッド層を構成する半導体の禁制帯幅よりも小さく活性層を構成する半導体の禁制帯幅よりも大きい、その厚さが50ないし400オングストロームのp型半導体層を備えたことを特徴とする半導体レーザ。