特許
J-GLOBAL ID：200903013969694450
光素子のダイボンディング方法とそのダイボンディング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248777
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087373
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】処理能力の向上と汎用的な部材を用いてのステム外形中心に対しての発光中心位置精度を確実に向上させ、歩留まりを向上させる高精度な半導体レーザのダイボンディング方法及び装置を提供する。【解決手段】レーザチップ10をV溝等のステージ5上に載置するレーザチップ供給手段と、載置されたステム1を2方向からステムのくぼみをクランプ爪6によってクランプし、クランプされたステム1の外形に対する基準点8を検出し、ステムポスト2上面にマーキングを行う位置検出及びマーキング手段と、レーザチップ10の活性層の電極面の2つ以上の角17を検出し、レーザチップ10の発光部(軸)12の位置を検出する手段と、そのレーザチップ10を基準点8を基に位置補正し搬送する手段と、ステム1とステムポスト2を加熱して搬送されてきたレーザチップ10をダイボンディングする手段とを有する。
請求項（抜粋）：
ステムのポスト上にレーザチップを直接又はヒートシンクを介して搭載し、ダイボンディングする際に、その前段階でV溝等の位置だし手段が設けられているステージにステムを載置し、ステムのくぼみを2方向から押さえることでダイボンディング位置を検出し、その検出した内容を基にダイボンディングすることを特徴とする光素子のダイボンディング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/52 D
, H01L 21/52 F
, H01S 3/18
