特許

J-GLOBAL ID：200903013972058610

窒化物系化合物半導体素子、窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、及び窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 元 鍾 學 ,  呉 明 錫
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332030
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188260
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 基板との間の界面における格子不整合が緩和された窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上のBN系化合物半導体バッファー層24と、バッファー層24上の窒化物系化合物半導体結晶層(34、35,36)とから構成されている。基板11としては、サファイア或いは炭化珪素(SiC)が採用可能である。BNはサファイアと格子定数差が小さく、これを含むBN系化合物半導体もサファイアとの格子定数差が小さい。従って、BN系化合物半導体バッファー層24が、基板11と半導体結晶層(34、35,36)間における格子不整合を緩和する。この結果、半導体結晶層(34、35,36)の結晶性が向上し、半導体素子の発光特性、電気的特性が向上している。また、信頼性が高く、動作寿命も長い。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置されたBN系化合物半導体からなるバッファー層と、前記バッファー層上に配置された窒化物系化合物半導体結晶層とから少なくともなる窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 A ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059034   出願人：松下電子工業株式会社, 杉野隆
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-267376
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214801   出願人：川西英雄