特許

J-GLOBAL ID：200903013975325555

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 大久保 透
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150690
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332165
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】本発明は、従来の印刷法より微細かつ平滑な電極パターンを形成可能な、薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】ゲート電極、絶縁層、ソース・ドレイン電極、半導体層を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、該ゲート電極、ソース・ドレイン電極のうち、いずれかひとつ以上を、少なくとも平均粒子径が50nm以下の金属粒子と、水性溶媒と、水溶性樹脂を含む導電性インク組成物を反転オフセット印刷法により転写した後、熱処理を行うことにより薄膜トランジスタの電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法とするものである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ゲート電極、絶縁層、ソース・ドレイン電極、半導体層を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、該ゲート電極、ソース・ドレイン電極のうち、いずれかひとつ以上を、平均粒子径が50nm以下の金属粒子と、水性溶媒と、水溶性樹脂を含む導電性インク組成物を反転オフセット印刷法により転写した後、熱処理を行うことにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 617J ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K

Fターム (37件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 導電性印刷物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-107346   出願人：大日本印刷株式会社
• 導電性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-271921   出願人：ナミックス株式会社
• 導電体製造のための低温方法および組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-532364   出願人：パレレック,インコーポレイテッド