絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246596
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】トレンチゲートの単位セル面積の縮小及び耐圧の向上を可能にする。【解決手段】半導体基板に設けられた溝内にゲート用導体層が埋め込まれ、前記主面上にソース用導体層が設けられた絶縁ゲート型半導体装置であって、前記ゲート用導体層及びその上面を覆うキャップ絶縁膜からなるゲートピラーの一部が前記半導体基板主面に突出し、ゲートピラーの前記突出した部分の側壁に側壁スペーサを有し、この側壁スペーサにより規定された半導体基板主面のコンタクト領域に前記ソース用導体層が接続されている。この構成によって、ソースコンタクトを側壁スペーサを用いたセルフアラインによって形成することができるので、マスク合わせのマージンが不用となり単位セルの占有面積を縮小することができる

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた溝内にゲート用導体層が埋め込まれ、前記主面上にソース用導体層が設けられた絶縁ゲート型半導体装置であって、前記ゲート用導体層及びその上面を覆うキャップ絶縁膜からなるゲートピラーの一部が前記半導体基板主面に突出し、ゲートピラーの前記突出した部分の側壁に側壁スペーサを有し、この側壁スペーサにより規定された半導体基板主面のコンタクト領域に前記ソース用導体層が接続されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 653 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 657 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 21/336

FI (9件)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 657 B , H01L 27/06 102 A , H01L 27/08 102 F , H01L 29/78 658 F

Fターム (19件)：

5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD04 , 5F048BD07 , 5F048BF02 , 5F048BF18 , 5F048BH05 , 5F048CC07 , 5F048CC15 , 5F048DA18 , 5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-109775
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-063339 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-371330 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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