静電誘導ダイオード

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202083
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012150
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】静電誘導ダイオードの金属半導体接合に、逆バイアス時の逆方向電流を少なくするために電位障壁の大きい金属を用いると正孔電流が増大して、ターンオフ時に回復電荷量が増加し特性を劣化する欠点を解決する。【解決手段】薄膜p形半導体5を陰極のソース電極4とn型半導体3との間に接合としてを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

陰極がn形半導体と低抵抗接合で形成され、陽極としてゲート電極とソース電極を備え、第1接合であるゲート電極を備えるp形半導体とn形半導体の接合、第2接合であるソース電極を備える金属とn形半導体の接合を備え、両接合のn形半導体は一体であり、ゲート電極とソース電極が陽極として接続されており、陽極陰極が逆バイアス時に第1接合のp型半導体によってn形半導体領域に生じる空乏領域が第2接合のn形半導体領域を覆い隠すようにこれら2つの接合領域が交互に配置されているダイオードにおいて、第2接合の金属はn型半導体との間に薄膜p形半導体の接合を有することを特徴とする静電誘導ダイオード。

IPC (2件)：

H01L29/417 , H01L29/861

FI (2件)：

H01L29/50 J , H01L29/91 C

Fターム (10件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-073325 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233671 出願人：富士電機株式会社
高速ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273170 出願人：東洋電機製造株式会社

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