特許
J-GLOBAL ID：200903013982207185
周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020949
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の新しい作製方法を提供する。【構成】 方法はMBE、CVD又は同様の成長技術による周期的構造に係り、基板温度を変えることを含む。たとえば、周期的多層GaAs/AlGaAsは600°Cないし700°Cの間で基板温度を変え、MBEにより成長させる。新しい方法は一様に高品質の材料の多層構造を生成させることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2対の半導体層を含み、与えられた対は第1の組成とは異なる第2の組成の第2の単結晶半導体層に接触した第1の組成の第1の単結晶半導体層を含み、a)基板を準備する工程;b)基板の主表面上に第1の半導体層が形成されるように、第1の組成の成長媒体に基板を露出させる工程;c)第1の半導体領域上に第2の半導体領域が形成されるように、上に第1の半導体層を有する基板を、第2の組成の成長媒体に露出させる工程;及びd)工程b)及びc)を少なくとも一度くり返す工程を含む製品の作製方法において、e)工程b)の少なくとも一部分の間、基板は第1の温度に保たれ、工程c)の少なくとも一部分の間、基板は第1の温度とは異なる第2の温度に保たれることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
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