特許

J-GLOBAL ID：200903013983355226

半導体レーザとその製造方法

発明者： 木村 達也 ,  松本 啓資 ,  武本 彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160632
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022691
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 レーザ発振に寄与しない無効電流を低減でき、レーザの特性及び信頼性の高い半導体レーザ102を得る。【構成】 p-InP下クラッド層とn-InP上クラッド層との間にアンドープ活性層2を挟み込んでなる、(111)B面をそのメサ側面とするメサストライプ部102aを備えるとともに、該メサストライプ部102a両側のp-クラッド層1b上に、n-InP電流ブロック層14及びFeをドープした高抵抗InP層15を積層してなる光・電流閉込領域102bを備え、該光・電流閉込領域102bを、上記n-InP電流ブロック層14の(111)Bメサ側面上に位置する側端が、上記n-InP上クラッド層3aと活性層2との境界上に位置する構造とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体領域上に形成され、第1導電型下クラッド層と第2導電型上クラッド層との間にノンドープ活性層を挟み込んでなる断面順メサ形状のメサストライプ部と、上記メサストライプ部両側の第1導電型半導体領域上に該メサストライプ部側面を覆うよう形成された第1導電型埋込み層と、上記第1導電型埋込み層上に順次形成された第2導電型埋込み層及び半絶縁性InP層とからなり、レーザ光及びレーザ駆動電流を上記メサストライプ部内に閉じ込める光・電流閉込領域とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。