特許
J-GLOBAL ID：200903013987149299
シリコン基板の表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-138986
出願日： 1995年05月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 ウエーハ全面にわたって原子ステップを指定した位置に配置するようにする。【構成】 シリコン基板1上に予め原子ステップの運動を規制する凹凸を通常の集積回路製造工程で用いる微細加工技術によって形成しておき、しかる後、超高真空中または超高真空と同等の作用をもつ不活性ガス中で熱処理し、冷却過程で生じる原子ステップの再配列を人工的に制御するようにする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の所定の位置に凹凸を施し、前記シリコン基板を高真空中,還元性雰囲気中または不活性ガス中で熱処理し、前記シリコン基板の表面の原子ステップを前記凹凸によって指定された位置に配列させ、原子ステップに構造に規則性を付与することを特徴とするシリコン基板の表面処理方法。
引用特許：
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