特許

J-GLOBAL ID：200903013989308661

半導体デバイス製造ラインにおける外観検査装置の機差調整方法及びそのシステム

発明者： 福西 宗憲 ,  広井 高志 ,  久▲迩▼ 朝宏 ,  岡部 隆史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312027
公開番号（公開出願番号）：特開2004-144685
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】半導体デバイス製造ラインにおけるウェハの外観検査装置の装置パラメータおよび検査パラメータの設定を、決められた手順で行えるようにする。【解決手段】外観検査装置から出力される検査時画像および検査結果を処理し、画像サーバに蓄積、蓄積されたデータを処理し、その検査時画像の画像特徴量から、適切な装置パラメータまたは適切な検査パラメータ、またはメンテナンスすべき部分を特定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造ラインにおいて試料の外観を検査する検査装置間の機差を調整する方法であって、 第1の検査装置で試料を撮像して得た第1の画像を処理して該画像の特徴量を求め、 第2の検査装置で前記試料を撮像して得た第2の画像を処理して該画像の特徴量を求め、 前記第1の検査装置で得た第1の画像の特徴量と前記第2の検査装置で得た第2の画像の特徴量を比較し、 該比較による前記第1の画像の特徴量と前記第2の画像の特徴量との差が予め設定した基準以下となるように前記第1の検査装置又は前記第2の検査装置の少なくともいずれか一方の装置パラメータを調整する ことを特徴とする半導体デバイス製造ラインにおける外観検査装置の機差調整方法。

IPC (4件)：

G01N21/956 ,  G01N23/225 ,  G06T1/00 ,  H01L21/66

FI (4件)：

G01N21/956 A ,  G01N23/225 ,  G06T1/00 305A ,  H01L21/66 J

Fターム (44件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA02 ,  2G001FA03 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051BA11 ,  2G051BA20 ,  2G051BB03 ,  2G051BB07 ,  2G051BB09 ,  2G051BB11 ,  2G051CA04 ,  2G051DA07 ,  2G051EA08 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EA16 ,  2G051EB01 ,  2G051EC02 ,  2G051EC03 ,  2G051ED11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA04 ,  4M106CA38 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057DA03 ,  5B057DB02 ,  5B057DC01 ,  5B057DC36