特許
J-GLOBAL ID:200903013991712089

樹脂封止型半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-345627
公開番号(公開出願番号):特開平6-053211
出願日: 1991年12月26日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】樹脂封止型半導体集積回路の熱サイクル試験でのスライドに強い配線層構造を得ること。【構成】配線層にスリットSを設けて実効幅を狭くすることによってスライドを防止する。チップの隅からの距離に応じて、スリットの密度を粗にするとともに配線層の合計幅を狭くすることによって配線層の占有面積を低減を企る。
請求項(抜粋):
層間絶縁膜を有する方形状の半導体チップと、前記層間絶縁膜に選択的に被着され、前記半導体チップの最寄りの一隅からの距離に応じて合計幅が不連続的に狭くなる配線層および前記一隅からの距離に応じて前記配線層を幅方向に複数の部分に区切る手段からなる電源配線または接地配線と、前記配線層の設けられた層間絶縁膜を被覆するパッシベーション膜とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体集積回路。
IPC (2件):
H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/88 A ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 E
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭62-120043
  • 特開平2-284448
  • 特開昭55-043840
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