半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332894
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213968
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実なものとする。【解決手段】コンタクトホールを形成した際において、最下層の絶縁膜に対するウェットエッチングによって生じたえぐれ部分をなくすために、コンタクトホールを広げるための再度のライトエッチングを行う。またこうすることでテーパー形状を得ることができコンタクトを確実なものとすることができる。

請求項（抜粋）：

陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、半導体よりなるソース部またはドレイン部と、を有する薄膜トランジスタの作製工程において、前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って絶縁性被膜を少なくとも二層に積層する工程と、前記絶縁性被膜をドライエッチングにより開孔せしめるに際し、前記絶縁性被膜の最上層から最下層に向かって順次傾斜角が小さくなるようにテーパーを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 29/78 616 K , H01L 21/302 M , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 619 A

前のページに戻る