特許

J-GLOBAL ID：200903013996927717

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者： 北田 哲也
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 小栗 昌平 ,  市川 利光 ,  橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-312602
公開番号（公開出願番号）：特開2009-140963
出願日： 2007年12月03日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：

【課題】逆方向のリーク電流が小さい、省電力で低電圧駆動が可能なショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】表面に第1導電型の半導体層2を有する半導体基板1と、前記第1導電型の半導体層の表面から所定の深さに設けられた複合整流領域を構成する第2導電型の半導体層7と、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層に接するように配設された金属層20とを具備したショットキーバリアダイオードであって、前記第1導電型の半導体層の前記表面が{110}面を構成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に第1導電型の半導体層を有する半導体基板と、 前記第1導電型の半導体層の表面から所定の深さに設けられた第2導電型の半導体層と、 前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層に接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、 前記第1導電型の半導体層の前記表面が{110}面を構成するショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 E

Fターム (12件)：

4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭59-35183号公報