特許

J-GLOBAL ID：200903013997820762

シリサイド形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092390
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267212
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】P型あるいはN型不純物拡散領域とのコンタクト抵抗の低い金属シリサイド層を形成する方法を提供する。【構成】シリサイド形成方法は、3B族原子を含む不純物から成る不純物含有層20を介してP型不純物拡散層領域12と4A族金属30とを固相反応させて、金属シリサイド層32を形成することから成る。あるいは又、5B族原子を含む不純物から成る不純物含有層を介してN型不純物拡散層領域と4A族金属とを固相反応させて、金属シリサイド層を形成することから成る。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体装置の製造において、3B族原子を含む不純物から成る不純物含有層を介してP型不純物拡散層領域と4A族金属とを固相反応させて、金属シリサイド層を形成することを特徴とするシリサイド形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/225