特許
J-GLOBAL ID：200903013997842375
金属膜の成膜方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐伯 忠生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-033132
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【目的】 成膜プロセスの過程中に透明基体に成膜される金属膜の膜厚をリアルタイムで直接検出し、モニターできるようにすると共に、その検出・モニターによって膜厚を最適値に制御できるようにする。【構成】 透明基板100の被成膜面110の他方面側にあって、レーザ光を透明基板100を通してその被成膜面110に照射する半導体レーザ21と、被成膜面110に照射されたレーザ光の反射光を被成膜面110の他方面側で受光する光検出器22とを備えている。光検出器22の検出信号は制御ユニット30に入力されて被成膜面110の反射率Rの変化が検出される。反射率Rの検出値が所定レベル以上に達すると、制御ユニット30からターゲット物質の飛来を阻止又は停止させる制御信号を出力する。この制御信号によって成膜プロセスが終了する。
請求項（抜粋）：
真空槽内に透明基体を設置し、その一面にターゲット物質を堆積させる金属膜の成膜方法において、前記透明基体の被成膜面と反対の面から光を照射し、その被成膜面からの反射光により前記被成膜面の反射率変化を検出すると共に、該反射率変化の検出に基づいて前記金属膜の膜厚を制御することを特徴とする金属膜の成膜方法。
IPC (2件)：
C23C 14/54
, G11B 7/26 531
