特許

J-GLOBAL ID：200903013999470041

横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058454
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 横方向エピタキシャル成長のための無機マスクを低コストでしかも下地の基板に損傷を与えることなく形成することができる横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1上にGaN層2を成長させ、その上にライン・アンド・スペース形状のレジストパターン3を形成し、基板全面にSiO2 膜4を成膜した後、レジストパターン3をその上のSiO2 膜4とともに除去することにより、GaN層2上に無機マスクとしてのSiO2 膜4をライン・アンド・スペース形状に形成する。あるいは、GaN層上に磁石で吸着可能なライン・アンド・スペース形状の金属マスクを設置し、サファイア基板の裏面側に設けた磁石による磁力でこの金属マスクをGaN層に密着固定し、その状態でSiO2膜を基板全面に成膜した後、金属マスクをGaN層から取り外すことにより、無機マスクとしてのSiO2 膜を形成してもよい。この無機マスクを用いてGaN層5を横方向エピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

基板上に横方向エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成するようにした横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法において、上記基板上にリフトオフ法により上記無機マスクを形成するようにしたことを特徴とする横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X

Fターム (45件)：

5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045EB19 ,  5F045EH13 ,  5F045HA11 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052GB06 ,  5F052GC06 ,  5F052JA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01