特許

J-GLOBAL ID：200903014000648392

CVD装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 堀内 悟志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035842
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 Ta2 O5 等の成膜について、生産性を確保しつつ、成膜特性を改善して製品における特性のばらつきを抑制できるCVD装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 (1)減圧下でTa2 O5 等の高融点金属の酸化物を成膜するホットウォールタイプのCVD装置において、?@装置の作業時以外の待機状態時に反応室を大気圧に維持IIIする?A成膜の工程の前に、反応室の内表面に付着している堆積物に、該堆積物から脱離した物質を供給Iする。?B成膜の工程の前に、O2 を供給Iする。(2)上記?@〜?Bの装置で、半導体装置を得る半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

減圧下で高融点金属の酸化物を成膜するホットウォールタイプのCVD装置において、装置の作業時以外の待機状態時に反応室を大気圧に維持することを特徴とするCVD装置。

IPC (8件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (39件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB11 ,  4K030CA14 ,  4K030DA03 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045EB11 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE13 ,  5F045EE18 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BH20 ,  5F083AD15 ,  5F083AD21 ,  5F083JA06 ,  5F083PR21