半導体デバイスとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池条重信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-346648
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】リング型の半導体振動子などの半導体デバイスにおいて、基板に発生する応力のコーナー部への集中に伴う性能に変動や劣化を防止し得る構成と、これを従来の縦横にダイシングする方法で、量産性良く提供する方法。【解決手段】異材質基板を積層したセンサ用半導体振動子など基板状の半導体デバイスにおいて、熱膨張係数の違いに伴い発生する基板コーナー部への応力の集中を、基板外形を正多角形とすることにより低減し、温度特性にすぐれた半導体デバイスを提供し、ウェーハの上面に設定する縦横の切断予定ダイシングラインに囲まれた矩形枠内に正八角形を想定し、設定した矩形枠内の正八角形と隣接する矩形枠内の正多角形との間で想定される余剰部形状に相当する形状を、隙間形状としてウェーハに予め除去する加工を行うことにより、従来の縦横のダイシングラインによる切断で、所定の正八角形板状の半導体デバイスを簡単に製造できる。

請求項（抜粋）：

熱膨張率の異なる基板を積層した板状の半導体デバイスであり、外形が正多角形(四角以下を除く)のからなる半導体デバイス。

IPC (4件)：

G01C 19/56 , G01P 9/04 , G01P 15/08 , H01L 21/301

FI (4件)：

G01C 19/56 , G01P 9/04 , G01P 15/08 Z , H01L 21/78 Q

Fターム (6件)：

2F105AA02 , 2F105BB04 , 2F105BB09 , 2F105BB12 , 2F105BB15 , 2F105CC07

引用特許：

審査官引用 (5件)

加速度・角速度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-280144 出願人：株式会社ニコン
半導体振動子の振動調整方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-254326 出願人：住友精密工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259089 出願人：三菱電機株式会社

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