特許
J-GLOBAL ID：200903014004244091
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068272
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275657
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】複数種のメモリマトリクスを有する半導体記憶装置の高集積回路化。【構成】ビットライン、ローラインのうちの少なくとも一方を互いに同配列に並べて隣接配置した異種のメモリマトリクスと、これらメモリマトリクスのビットラインを選択するカラムデコーダと、前記メモリマトリクスのローラインを選択するローデコーダとを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ビットライン、ローラインのうちの少なくとも一方を互いに同配列に並べて隣接配置した異種のメモリマトリクスと、これらメモリマトリクスのビットラインを選択するカラムデコーダと、前記メモリマトリクスのローラインを選択するローデコーダとを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, G11C 16/02
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 307 Z
, H01L 29/78 371
