特許
J-GLOBAL ID：200903014004842053
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022272
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 レーザ素子の実用性の更なる向上のために寿命特性をより良好とさせるべく、共振面を劈開により形成する際の劈開性及び接着性が良好なpパッド電極を有する放熱性の良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 ストライプ側面に絶縁膜62を有するリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にp電極20及びp電極20より大面積を有するpパッド電極101を順に形成してなり、さらにストライプ長さ方向に対して垂直な方向に劈開して形成された劈開面201に共振面を有し、前記pパッド電極101が、ストライプ長さと同一の長さでp電極20全面を覆って形成された第1の薄膜層31と、該第1の薄膜層31上にストライプ長さより短い長さで形成された第2の薄膜層32とから少なくとも形成されてなる。
請求項（抜粋）：
ストライプ側面に絶縁膜を有するリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にp電極及びp電極より大面積を有するpパッド電極を順に形成してなり、さらに前記ストライプ長さ方向に対して垂直な方向に劈開して形成された劈開面に共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記pパッド電極が、少なくともストライプ長さと同一の長さでp電極全面を覆って形成された金属を含む第1の薄膜層と、該第1の薄膜層上にストライプ長さより短い長さで形成された金属を含む第2の薄膜層とから少なくとも形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (13件)：
5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA30
, 5F073DA32
, 5F073EA23
, 5F073EA27
, 5F073EA28
