特許

J-GLOBAL ID：200903014007826008

ドライエッチング方法

発明者： 寺下 俊章 ,  古田 守
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375403
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179028
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 MoW等の高融点金属とSiO2等の酸化膜とのエッチング選択比確保を確認することが可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 図2のように、プラズマ発光強度とSiO2エッチングレートには相関があり、プラズマ発光強度の上昇に伴いSiO2のエッチングレートが増加し、エッチング選択比確保が困難になる。すなわち、エッチング選択比を確保するには発光強度の低い領域の条件を用いればよい。基板上にSiO2を介して形成された高融点金属薄膜をドライエッチングする際、オーバーエッチングにおけるプラズマ発光強度の推移をモニターすることにより、SiO2とのエッチング選択比の確保が確認可能となる。

請求項（抜粋）：

その表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を有する基板をチャンバー内に配置し、前記チャンバー内に反応性ガスを導入し、前記反応性ガスを励起して高密度プラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、前記高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングするドライエッチング方法であって、前記ドライエッチングにおけるオーバーエッチングにおいて、前記プラズマの発光強度をモニターすることにより、前記酸化膜と前記高融点金属薄膜とのエッチング選択比確保を確認することを特徴とするドライエッチング方法。

Fターム (6件)：

5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004CB09 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08