特許

J-GLOBAL ID：200903014009063087

イオンビーム加工装置

発明者： 中川 由岐夫 ,  大石 鉦太郎 ,  田中 滋 ,  大貫 久生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301796
公開番号（公開出願番号）：特開平10-140348
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】材料の種類や膜厚のばらつきに拘わらず、極めて簡単かつ確実に終点検出すること。【解決手段】 観察時、イオンビーム20の照射を遮断すると共に、プローブ21が基板13側に向くことにより、基板13の表面を撮像するので、基板13のミリング状態を表示器24により直接目視することができ、しかもその際、例えミリング不足状態となっていても、プローブ21及びシャッタ25が元の位置に戻ることにより、ミリングを速やか続行することができるので、終点検出を正確に行うことができる。

請求項（抜粋）：

試料を搭載する試料ホルダを有する真空チャンバと、該真空チャンバ内の試料に向かってイオンビームを照射するイオンビーム源と、試料のミリング状態を観察する観察機構とを備えたイオンビーム加工装置において、前記観察機構は、真空チャンバ内の試料の表面状態を撮像する撮像手段と、該撮像された画像を表示する表示手段と、観察時、撮像手段による撮像を可能状態に開ける一方、観察の不要時、撮像手段による撮像を不可能状態に閉じるシャッタ手段とを有することを特徴とするイオンビーム加工装置。