半導体記憶装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153857
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】酸化タンタル膜からなるキャパシタを有し,周辺回路がCMOSからなるDRAMの製造方法において、キャパシタのリーク電流の増大を抑制し、所望のコンタクト抵抗を有する周辺回路を形成する方法を提供する。【構成】所定膜厚の酸化シリコン膜132aを形成し、N型イオン注入層151,P型イオン注入層152がそれぞれN型拡散層108,P型拡散層109を突き抜けないようにコンタクトイオン注入を行なう。チタン膜153および窒化チタン膜154を形成し、シリサイド化を高々500°C程度の温度で行う。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板の表面の周辺回路形成予定領域の一部および該周辺回路形成予定領域の残りの部分並びにメモリセルアレイ形成予定領域にそれぞれNウェルおよびPウェルを形成し、該シリコン基板の表面の所要の領域にそれぞれフィールド酸化膜およびゲート酸化膜を形成し、該メモリセルアレイ形成予定領域および該周辺回路形成予定領域にそれぞれワード線およびゲート電極を形成する工程と、前記ワード線および前記フィールド酸化膜等をマスクにしたN型不純物のイオン注入により前記メモリセルアレイ形成予定領域の前記Pウェル表面に第1のN型拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極および前記フィールド酸化膜等をマスクにした砒素のイオン注入により前記周辺回路形成予定領域の前記Pウェル表面に第2のN型拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極および前記フィールド酸化膜等をマスクにしたBF2 のイオン注入により前記Nウェル表面にP型拡散層を形成する工程と、前記フィールド酸化膜,ワード線およびゲート電極を含めて前記シリコン基板の表面を覆う第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記第1のN型拡散層に達するビットコンタクト孔を形成し、該ビットコンタクト孔を介して該第1のN型拡散層に接続されるビット線を形成し、該ビット線を含めて該第1の層間絶縁膜の表面を覆う第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2および第1の層間絶縁膜を貫通して前記第1のN型拡散層に達するストーレージノードコンタクト孔を形成し、該ストーレージノードコンタクト孔を介して該第1のN型拡散層に接続されるストレージノード電極を形成し、該ストレージノード電極表面を覆う酸化タンタル膜を形成し、セルプレート電極を形成することによりメモリセルアレイを形成し、該セルプレート電極を含めて該第2の層間絶縁膜の表面を覆う第3の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第3,第2および第1の層間絶縁膜を貫通してそれぞれ前記第2のN型拡散層および前記P型拡散層に達する第1のコンタクト孔および第2のコンタクト孔を形成する工程と、プラズマ励起気相成長法により,前記第1および第2のコンタクト孔を含めて前記第3の層間絶縁膜の表面を覆う所要膜厚の表面保護用の酸化シリコン膜を形成する工程と、少なくとも前記第1のコンタクト孔を介した所定条件の燐の第1のコンタクトイオン注入と少なくとも前記第2のコンタクト孔を介した所定条件のBF2 の第2のコンタクトイオン注入とにより、該第1のコンタクト孔底部の前記第2のN型拡散層の表面の該第2のN型拡散層の接合の深さより浅い領域にN型イオン注入層を形成し、該第2のコンタクト孔底部の前記P型拡散層の表面の該P型拡散層の接合の深さより浅い領域にP型イオン注入層を形成する工程と、少なくとも前記第1および第2のコンタクト孔底部と前記第3の層間絶縁膜上面との前記表面保護用の酸化シリコン膜を除去し、該第1および第2のコンタクト孔を含めて該第3の層間絶縁膜の表面を覆うチタン膜と窒化チタン膜とを順次形成し、高々500°C程度の温度でシリサイド化反応を行なう工程と、前記窒化チタン膜の表面を覆うタングステン膜を気相成長法により形成し、該タングステン膜をエッチバックして前記第1および第2のコンタクト孔内に該タングステン膜を残置し、全面を覆うアルミ合金膜をスパッタリングにより形成し、該アルミ合金膜,窒化チタン膜およびチタン膜をエッチングして金属配線を形成することにより周辺回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/265 W , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 F

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