特許
J-GLOBAL ID：200903014010395662
磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214123
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066033
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 充分低磁界で高い抵抗変化率がえられると共に、所望の抵抗変化特性がえられる、磁性薄膜メモリや磁気抵抗センサ用のMR素子を提供する。【構成】 第1磁性層1と第2磁性層2とのあいだに非磁性層4を挟んだ基本的に3層構造で形成される。たとえば磁性薄膜メモリ用のMR素子とするばあいには第1磁性層1と第2磁性層2の磁化方向が、印加磁界が0のときに平行または反平行になるように各磁性層を形成する。また、必要に応じ第1磁性層1や第2磁性層2にバッファ層6やキャップ層7などの付加層が設けられ、MR効果を向上させたり、両磁性層の反転磁界を制御することができる。さらに非磁性層と第3磁性層を積層し、基本的に5層構造としても充分低磁界で高いMR効果を有するMR素子がえられる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1磁性層および第2磁性層が非磁性層を介在させて基本的に3層構造で設けられ、印加磁界がゼロであるばあいに、第1磁性層および第2磁性層の磁化の方向が互いに平行または反平行である磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01F 10/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, H01L 43/08
