特許

J-GLOBAL ID：200903014012037682

誘電体薄膜の作製方法

発明者： ジェフリー スコット クロス ,  塚田 峰春
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272565
公開番号（公開出願番号）：特開平10-121233
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ABO3 型ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を均一性よく形成し、かつ組成比の変更を容易に行うことができる誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 真空排気可能な処理容器内に、Sr元素を含む第1のターゲット部材3Aと、Ru元素を含み該第1のターゲット部材とは異なる第2のターゲット部材3Bとを配置する。処理容器内に、成膜すべき基板5A,5Bを配置する。処理容器内に、O元素を含むガスを導入してプラズマを発生させ、基板ホルダー4を回転させ、基板の表面上にSrRuO3 膜を堆積する。または、第1のターゲットをLaを含むものとし、第2のターゲットをNiを含むものとして、基板上にLaNiO3 膜を堆積する。

請求項（抜粋）：

真空排気可能な処理容器内に、Sr元素を含む第1のターゲット部材と、Ru元素を含み該第1のターゲット部材とは異なる第2のターゲット部材とを配置する工程と、前記処理容器内に、成膜すべき基板を配置する工程と、前記処理容器内に、O元素を含むガスを導入してプラズマを発生させ、前記基板の表面上にSrRuO3 膜を堆積する工程とを有する誘電体薄膜の作製方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H01G 4/10

FI (3件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/06 K ,  H01G 4/10