特許

J-GLOBAL ID：200903014017541389

半導体シミュレーション方法および半導体シミュレーション装置

発明者： 清水 俊吉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-029106
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234468
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 実測の範囲外であっても精度の高いシミュレーション計算を行うこと。【解決手段】 本発明は、第1の変数と第2の変数との関係から半導体装置の電気特性をシミュレーションする方法および装置であり、第1の変数の所定範囲における第2の変数の関係を、実測とシミュレーションとで得る工程(S1,S3)と、第1の変数の所定範囲における第2の変数の実測とシミュレーションとの誤差を補正係数として求める工程(S5〜S6)と、第1の変数の所定範囲より外側の範囲でシミュレーションを行い(S7)、その計算結果に補正係数を用いて補正を施す工程(S8)とを備えている。

請求項（抜粋）：

第1の変数と第2の変数との関係から半導体装置の電気特性をシミュレーションする方法において、前記第1の変数の所定範囲における第2の変数の関係を、実測とシミュレーションとで得る工程と、前記第1の変数の所定範囲における第2の変数の前記実測と前記シミュレーションとの誤差を補正係数として求める工程と、前記第1の変数の所定範囲より外側の範囲でシミュレーションを行い、その計算結果に前記補正係数を用いて補正を施す工程とを備えることを特徴とする半導体シミュレーション方法。

IPC (4件)：

H01L 29/00 ,  G06F 17/50 666 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/00 ,  G06F 17/50 666 S ,  H01L 29/78 301 Z

Fターム (8件)：

5B046AA07 ,  5B046DA01 ,  5B046JA04 ,  5F140AA37 ,  5F140BH36 ,  5F140DB05 ,  5F140DB06 ,  5F140DB07