特許
J-GLOBAL ID：200903014022252140
超電導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066632
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279024
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】ブロッキング層の種類が多くて種々の応用に対応できる超電導体と、それを再現性よく製造する方法を提供する。【構成】式(Ca1-sSrs)tCuOu(ただし、s、t、uは0≦s≦1.0、0.8≦t≦1.1、1.8≦u≦2.2)で表される酸化物と、特定の物質群から選ばれ、かつ、0.36nm以上、0.41nm以下の陽イオン間距離を結晶構造中に有する酸化物とが層状をなしている超電導体を、レーザーアブレーション法を用いた積み上げ法によって製造する。
請求項（抜粋）：
式(Ca1-sSrs)tCuOu(ただし、0≦s≦1.0、0.8≦t≦1.1、1.8≦u≦2.2)で表される酸化物と、下記イ〜ヘの物質群から選ばれ、かつ、0.36nm以上、0.41nm以下の陽イオン間距離を結晶構造中に有する酸化物とが層状をなしていることを特徴とする超電導体。イ.α1+μβ1-μO3+ν(ただし、αはDy、Sm、Nd、Pr、Ce、La、Eu、Bi、Pb、Gd、Na、Sr、Ca、Ag、K、およびBaから選ばれた元素で、βはMn、Co、Al、Ga、Cr、Ce、Cd、Ni、W、Fe、Ga、Ta、V、Ti、Mo、Sn、Rh、NbおよびZrから選ばれた元素。-0.2≦μ≦0.2、-0.3≦ν≦0.3)ロ.γ2+ξδ1-ξO4+π(ただし、γはLa、SrおよびNdから選ばれた元素で、δはLi、Ni、Al、Co、Mn、Mg、Cr、Ga、Rh、Ti、Fe、Ru、Ir、MoおよびSnから選ばれた元素。-0.2≦ξ≦0.2、-0.3≦π≦0.3)ハ.εn+1+ρζn-ρO3n+3+ σ(ただし、εはPb、BiおよびBaから選ばれた元素で、ζはTi、NbおよびTaから選ばれた元素。n=2、3または4。-0.2≦ρ≦0.2、-0.3≦σ≦0.3)ニ.ηm Oq+τ(ただし、ηがNaでm=2、q=1、ηがCeでm=1、q=2、または、ηがY、Ho、Dy、Tb、Gd、Eu、Sm、Pr、NdおよびLaから選ばれた元素。m=2、q=3。-0.3≦τ≦0.3)ホ.Srr+1+φTir-φO3r+1+ χ(ただし、r=2または3。-0.2≦φ≦0.2、-0.3≦χ≦0.3)ヘ.κ0.33+ ψλ1-ψO3+ω(ただし、κはYb、Y、Dy、Gd、Ce、Sm、Nd、LaおよびPrから選ばれた元素で、λはTaおよびNbから選ばれた元素。-0.1≦ψ≦0.1、-0.3≦ω≦0.3)
IPC (9件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 23/00 ZAA
, C01G 29/00 ZAA
, C01G 33/00 ZAA
, C01G 53/00 ZAA
, C23C 14/08
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
