特許

J-GLOBAL ID：200903014022933503

面発光半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 浜尾 昇
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-119651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013695
出願日： 1991年05月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体多層反射膜にはさまれた量子井戸活性層を有する面発光レーザの閾値電流及び直列抵抗を低減し、外部微分量子効率を向上させる。【構成】 GaAs基板1上に、AlAs/GaAsの下部多層反射鏡4と、量子井戸活性層6とAlAs/GaAs上部多層反射鏡10とを少なくとも有する光制御領域13を形成する。その周囲は活性層6の近傍までエッチング除去することにより、光制御領域13は柱状の形状となる。その光制御領域13の近くの該エッチング表面に不純物導入領域15を形成しそこの量子井戸活性層6を無秩序化する。この不純物導入領域15の一部と、光制御領域13の上部にそれぞれ電極19、18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、下部半導体多層反射膜と、少くとも1つの量子井戸を含む量子井戸活性層と上部半導体多層反射膜とを含む面発光半導体レーザにおいて、量子井戸活性層近傍までエッチング除去された領域に囲まれた光制御領域と、該光制御領域の周囲の該エッチングされた表面のみに量子井戸活性層を無秩序化するために不純物が導入された領域とを有し、かつ該不純物導入領域に形成された電極とを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。