特許
J-GLOBAL ID：200903014023972723
半導体ディスク装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250786
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115597
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、ブロックごとの消去時間を短く、かつ、一定にすることにより、動作を安定化する。【構成】 データ格納部及び予め消去処理の条件が書き込まれている消去条件格納部からなるブロックを複数有するフラッシュメモリ5と、メモリコントローラとしてのCPU4と、CPU4の制御に基づき供給する電圧VCC,VPPを変化させる電圧制御回路6とを備える。CPU4は、全てのブロックの実際の消去時間が短く、かつ、同じになるように、フラッシュメモリ5の消去条件格納部に書き込まれた消去条件と予め定められた標準条件とを比較して、ブロックごとに最適な電源電圧を求める電源電圧演算機能を備える。
請求項（抜粋）：
データ格納部及び予め消去処理の条件が書き込まれている消去条件格納部からなるブロックを複数有するメモリ部と、外部からのデータを上記メモリ部のデータ格納部に書き込むとともに、上記メモリ部のデータ格納部からデータを読み出して外部に出力するデータ制御部と、上記メモリ部の消去条件格納部に書き込まれた消去条件と予め定められた標準条件とを比較して、上記メモリ部のブロックごとの実際の消去処理の条件を上記標準条件に近付ける電源電圧を求める電源電圧演算部と、消去処理時に上記電源電圧演算部の出力に基づき上記メモリ部に電源を供給するメモリ電源部と、上記メモリ部のブロックごとにデータを消去する消去制御部とを備えた半導体ディスク装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G06F 3/08
, G11C 7/00 312
