特許

J-GLOBAL ID：200903014024237490

半導体装置の配線接続構造およびその製造方法

発明者： 窪田 睦 ,  大八木 敦 ,  大津 良孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158196
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012725
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 従来よりも少ない製造工程で製造でき、製造歩留りの高い半導体装置の配線接続構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この発明の半導体装置の配線接続構造は、シリコン基板1と、コンタクトホール4を有する絶縁層3と、不純物領域2の表面で、コンタクトホール4の底面の上に形成されたチタンシリサイド層6と、コンタクトホール4を充填し、チタンシリサイド層6に接するように形成されたチタン層5およびプラグ7と、チタン層5およびプラグ7に接し、絶縁層3の表面の上に形成された配線層8とを備えている。

請求項（抜粋）：

不純物領域を有する半導体基板と、その半導体基板の上に形成され、前記不純物領域の表面に達する穴を有する絶縁層と、前記不純物領域の表面でかつ前記穴の底面の上に形成されたチタンシリサイド層と、前記穴を充填し、かつ前記チタンシリサイド層に接するように形成されたチタンからなる接続層と、その接続層に接し、前記絶縁層の上に形成された配線層とを備えた、半導体装置の配線接続構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/88 R