特許
J-GLOBAL ID：200903014028685676
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344940
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176742
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明はゲート絶縁酸化膜を形成するまでの工程での基板中の酸素に起因する結晶欠陥、エッチング時のダメージに起因する結晶欠陥又は重金属不純物に起因する結晶欠陥によるゲート絶縁酸化の初期酸化膜耐圧の劣化を防止し得る半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 フィールド酸化膜2が形成されたSi基板1上にチャネルイオン注入層5をイオン注入法により形成する。次に、チャネルイオン注入層5を含む露出したSi基板1上に単結晶シリコン膜6を選択エピタキシャル成長により形成する。その後、この単結晶シリコン膜6を熱酸化し、ゲート絶縁酸化膜7を形成する。これにより、ゲート絶縁酸化膜7中に取り込まれる結晶欠陥を低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフィールド酸化膜を形成する工程と、該半導体基板の該フィールド酸化膜により覆われていない部分に、イオン注入法によりチャネルイオン注入層を形成する工程と、該チャネルイオン注入層を含む前記半導体基板の表面に単結晶シリコン膜を選択エピタキシャル成長する工程と、該単結晶シリコン膜を熱酸化してゲート絶縁酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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