特許

J-GLOBAL ID：200903014031361504

化粧料、シリカ被覆金属酸化物粉およびその製法

発明者： 石井 伸晃 ,  和田 紘一 ,  関口 和夫 ,  高間 道裕 ,  伊東 忍 ,  矢野 幸太郎 ,  川崎 計二 ,  斉藤 康夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998001133
公開番号（公開出願番号）：WO1998-047476
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1998年10月29日
要約：

【要約】シリカ膜厚が0.1〜100nmであり、テトラリン自動酸化法により測定した光触媒活性度が6mmH2O/min.以下であるシリカ被覆金属酸化物粉を含有する化粧料。1150〜1250cm-1と1000〜1100cm-1の赤外吸収スペクトルの吸収ピーク強度の比I(I=I1/I2:I1は1150〜1250cm-1の吸収ピーク強度、I2は1000〜1100cm-1の吸収ピーク強度)が0.2以上であり、かつ屈折率が1.435以上であるシリカ膜に被覆されたシリカ被覆金属酸化物粉。

請求項（抜粋）：

シリカ膜厚が0.1〜100nmであるシリカ被覆金属酸化物粉を含有することを特徴とする化粧料。

IPC (1件)：

A61K 7/42