特許

J-GLOBAL ID：200903014032311365

炭素膜および炭素膜製造方法

発明者： 野々垣 良三 ,  山田 鈴弥 ,  和田 徹也
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148977
公開番号（公開出願番号）：特開平10-001305
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】ビッカース硬さが1000Kg/mm2以上の高硬度で、耐摩耗性に優れる炭素膜並びにそれを生産性よく、安定して提供すること【解決手段】sp3の存在比率が70%以上であり、水素濃度が0.5〜1.7×1022atoms/cm3であることを特徴とする非晶質炭素膜であり、又、真空容器内に配置された基材に対面するシート状のプラズマを発生させながら、前記シート状プラズマを経由して前記基材上に炭化水素を含む原料ガスを供給することにより前記基材上に炭素膜を形成させる炭素膜製造方法であって、前記炭化水素が高分子量の炭化水素であり、しかも前記基材に負のバイアスを印加することを特徴とする炭素膜製造方法である。

請求項（抜粋）：

sp3の存在比率が70%以上であり、水素濃度が0.5×1022atoms/cm3以上1.7×1022atoms/cm3以下であることを特徴とする非晶質炭素膜。

IPC (6件)：

C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72

FI (6件)：

C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 B ,  G11B 5/187 C ,  G11B 5/72