特許

J-GLOBAL ID：200903014033284922

磁気抵抗効果材料およびその製造方法

発明者： 里見 三男 ,  榊間 博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-148475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090026
出願日： 1991年06月20日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 高価な超高真空蒸着装置を用いず、実質的に2個のタ-ゲットを必要とするだけの通常のスパッタ装置により作製でき、室温でかつ実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗材料を得る。【構成】 スパッタ装置を用い、厚さ10〜100ÅのNiXFeYCoZより成る金属磁性薄膜層1、1’と厚さ10〜25ÅのCuより成る金属非磁性薄膜層2とを積層した構造からなる磁気抵抗効果材料であって、金属磁性薄膜層1はNiXFeYCoZを主成分とし、X, Y,Z はそれぞれ原子組成比で 0.6≦X≦0.9、0≦Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3であり、金属非磁性薄膜層2はCuを主成分とするものである。【効果】 2元スパッタ装置を用いるだけで作製でき、室温でかつ実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗材料が得られる。

請求項（抜粋）：

厚さ10〜100ÅのNiXFeYCoZより成る金属磁性薄膜層と厚さ10〜25ÅのCuより成る金属非磁性薄膜層とを積層した構造からなる磁気抵抗効果材料、ただし X, Y, Z はそれぞれ原子組成比で 0.6≦X≦0.9, 0≦Y≦0.3, 0.01≦Z≦0.3である。

IPC (6件)：

H01F 10/12 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-064484
  
• 特開昭61-144893
  
• 特開平4-212402