特許

J-GLOBAL ID：200903014036054812

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 吉村 雅司
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327018
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 電極の蒸着工程における不要部分への金属付着を防止して、光出力特性を均一させる。【構成】 発光部分7の列の両側面にこの列と平行方向に形成した逆メサ型のエッチング溝に、高抵抗の化合物半導体の埋め込み層12が埋められて、電気的に分離されたままエッチング前と同様の平坦な表面状態になっているので、その後、各発光部分7を分離する順メサ型のエッチング溝を形成しても発光部分7に出っ張った角の部分ができることはない。その結果、電極10を蒸着する際に必要のない部分にまで、金属が蒸着されることがなくなり、発光部分7から発光される光を遮ったり、pn接合部分をショートさせることがなくなる。

請求項（抜粋）：

pn接合を有する化合物半導体に列状に形成された複数の発光部分を有する半導体発光装置において、前記各発光部分は順メサ形状の溝とこの順メサ形状の溝と垂直方向に設けられた逆メサ形状の溝によって各々分離されていると共に、この逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体が埋め込まれていることを特徴とする半導体発光装置。