特許

J-GLOBAL ID：200903014037160993

III-V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法

発明者： 石井 宏辰 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162407
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【構成】 III-V族化合物半導体単結晶基板上に、炭素を1×1018cm-3以上の濃度含有するInx(AlyGa1-y)1-xAs(0≦x≦1、0≦y≦1)層を少なくとも1層含むエピタキシャル積層構造を形成する際に、前記 III-V族化合物半導体単結晶基板として、表面の結晶学的面方位を下記?@〜?Bのいずれかとした基板を用いることを特徴とする III-V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法。?@(001)面より[100]方向に7〜9°傾斜。?A(001)面より[1-10]方向に10〜12°傾斜。?B(001)面より[110]方向に10〜12°傾斜。【効果】 高濃度炭素含有InAlGaAs層の炭素濃度を十分に高くしても、積層界面における構造の連続的乱れの発生を抑制することができるため、従来よりも高性能のHBTやpチャンネルHEMTを製造することができる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体単結晶基板上に、炭素を1×1018cm-3以上の濃度含有するInx(AlyGa1-y)1-xAs(0≦x≦1、0≦y≦1)層を少なくとも1層含むエピタキシャル積層構造を形成する際に、前記 III-V族化合物半導体単結晶基板として、表面の結晶学的面方位を下記?@〜?Bのいずれかとした基板を用いることを特徴とする III-V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法。?@(001)面より[100]方向に7〜9°傾斜。?A(001)面より[1-10]方向に10〜12°傾斜。?B(001)面より[110]方向に10〜12°傾斜。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H