特許
J-GLOBAL ID：200903014038815721
スパッタリング陰極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-112326
公開番号（公開出願番号）：特開平6-057421
出願日： 1991年04月17日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリングの際に標的が完全に浸食されて、基板に標的保持ポットの材料やろう材料が入り込むことを防止する。【構成】 スパッタリングによって形成されたターゲット(11)の浸食凹所(18)の深さを超音波センサ(28)によって測定する。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの部分から成るターゲット(11)とこのターゲット(11)の後ろに配置された磁石系とを有し、この磁石系は互いに入り組み交互に逆の極性を有する複数の磁石装置(14,15)を有し、これらの磁石装置(14,15)が弓形に湾曲した磁力線から成る少なくとも1つの密閉磁気トンネルを形成しており、磁石装置(14,15)のターゲット(11)とは反対側の極がヨーク(17)を介して互いに結合されている、マグネトロンの原理に基づくスパッタリング陰極において、スパッタリングによって形成されたターゲット(11)の浸食凹所(18)がセンサ(28)によって測定されることを特徴とするスパッタリング陰極。
引用特許：
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