ナノワイヤによってコンタクトがとられる導電性材料の層を有する電子装置を製造する方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518794
公開番号（公開出願番号）：特表2008-505476
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

本発明による電子装置(100)は、第1値と第2値との間で電気的にスイッチ可能な電気抵抗率を有するメモリ材料の層(107)を備える。メモリ材料は相変化材料でもよい。電子装置(100)は電子装置の第1端子(172)とメモリ材料の層(107)を電気的に接続する一組のナノワイヤ(NW)をさらに備え、それによって、第1端子からナノワイヤ(NW)及びメモリ材料の層(107)を介して電子装置の第2端子(272)への電流の伝導を可能にする。各ナノワイヤ(NW)は各々のコンタクト領域でメモリ材料の層(107)に電気的にコンタクトがとられる。全てのコンタクト領域ほぼ同一である。本発明による方法は、本発明による電子装置(100)を製造するのに適している。

請求項（抜粋）：

電気伝導性材料の層と、一組の複数ナノワイヤであって、前記複数ナノワイヤを介して前記電気伝導性材料の前記層に電流を伝導するために前記電気伝導性材料の前記層に電気的に接続された一組の複数ナノワイヤを備え、各ナノワイヤは各々のコンタクト面で前記電気伝導性材料の前記層と電気的にコンタクトをとり、全てのコンタクト面はほぼ同じ表面積を有する、電子装置を製造する方法であって、一組の予め製作された複数ナノワイヤを有する本体を設ける工程と、各々が露出されたコンタクト面を有する前記一組の複数ナノワイヤを得るために、前記一組の予め製作された複数ナノワイヤを材料除去処理にかける工程と、前記電気伝導性材料の前記層を前記ナノワイヤに設け、それによって前記各々のコンタクト面で各ナノワイヤと導電性材料の前記層を電気的に接続する工程とを備える方法。

IPC (11件)：

H01L 27/105 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 29/06 , H01L 29/861 , H01L 21/329 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088

FI (13件)：

H01L27/10 448 , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L27/10 451 , H01L45/00 A , H01L29/06 601N , H01L29/90 P , H01L29/91 A , H01L29/91 C , H01L29/91 H , H01L29/91 K , H01L27/06 102A , H01L27/08 102D

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD68 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA15 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA21 , 5F083JA31 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA17 , 5F083LA01 , 5F083MA01 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA30

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