特許

J-GLOBAL ID：200903014051812286

高周波用光半導体実装基板

発明者： 藤田 実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135748
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】高周波信号の反射損失(リターンロス)を抑制した高周波用半導体実装基板を提供する。【解決手段】高熱伝導性を有する誘電体基板の基板表面から基板裏面に導通する高周波信号線路における金属埋め込みVIAホールを切断し、その表面を実装基板側面に露出し形成する。【効果】製作コストが安価でありかつ金属埋め込みVIAホールのインダクタンス成分を低減できることから特にグランド線路(リターンパス)での高周波信号の損失、反射損失(リターンロス)を抑制でき、有効に高周波信号を伝達できるようになる。

請求項（抜粋）：

高熱伝導性を有する誘電体基板上に高周波線路を形成し、該誘電体基板上に半導体チップを搭載する目的の実装基板において、基板表面から基板裏面に導通する金属埋め込みVIAホールの切断面を実装基板側面に露出、形成したことを特徴とする高周波用光半導体実装基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/12 L

Fターム (7件)：

5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073GA34 ,  5F073GA38