不良原因探索プログラム及び不良原因探索システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089024
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289662
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路のウェーハように,複数の製品を一つの基板で製造するものの不良原因を探索する。本発明は,電気検査装置や欠陥検査装置などの座標分布と,処理来歴データを組み合せて不良原因を探索する。また,製品の面積の違いを考慮した解析手段を有することで,多品種少量生産の製造ラインでも活用できる。【解決手段】検査データの検索・取得処理11,検査データの2値2次元マップ群作成処理12,処理来歴の検索・取得処理13を行う。次に,処理位置毎の2値2次元マップ群グルーピング処理15,グループ平均マップ作成処理16,グループ間のマップ比較解析処理17を処理工程毎に繰返し行う。各工程のグループ間のマップ比較解析結果を基に,不良原因候補抽出処理19を行う。

請求項（抜粋）：

複数の製品を一つの基板上に形成する製造物の不良原因を探索するプログラムであって,複数の該基板を製造処理する工程毎に処理位置情報を有する処理来歴情報と,該処理来歴情報に対応する複数の該基板の検査結果情報との入力を受ける入力ステップと,演算処理手段の処理により、該基板毎の検査結果情報から該基板毎の座標分布マップを作成し,該基板毎の該座標分布マップを工程毎の処理位置情報でグループ分け処理し,該グループ毎に該座標分布マップの平均マップを作成し,該グループ毎の該平均マップから不良原因工程の候補を抽出する算出ステップと,該算出ステップで抽出した不良原因工程の候補を出力する出力ステップとを実行させることを特徴とする不良原因探索プログラム。

FI (2件)：

H01L 21/66 Z , H01L 21/66 A

Fターム (5件)：

4M106AA01 , 4M106DA15 , 4M106DH60 , 4M106DJ21 , 4M106DJ26

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