特許
J-GLOBAL ID：200903014057850040
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074831
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】半導体素子とリードフレームとをワイヤボンディングにて接続する半導体装置において、接続ワイヤの増加及び狭ピッチ化による短絡障害を防止することにより、製品歩留りの向上をはかる。【構成】半導体素子2とリードフレーム1とをワイヤ3により電気的に接続した後、ワイヤ3の表面にポリイミド前駆体を塗布し、それに熱処理を施してポリイミド樹脂絶縁膜4を形成する。そして、最後に全体を熱可塑性樹脂5にて封止する。これにより、封止時に熱可塑性樹脂5の流れによってワイヤ3が互いに接触しても電気的に短絡するのを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、この半導体素子を搭載すると共にリード端子を有するリードフレームと、前記半導体素子と前記リードフレームの前記リード端子とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子,前記ワイヤ及び前記リード端子との接続部を封止する熱可塑性樹脂とを含む半導体装置において、前記ワイヤがその表面にポリイミド絶縁膜を被覆してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
