特許

J-GLOBAL ID：200903014059913812

プラズマ処理装置および処理方法

発明者： 大本 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015575
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201017
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】プラズマエッチング処理において、ウエハ間の特に処理開始直後のエッチング速度の変動を抑制する。【解決手段】被処理基板104への電力供給線と被処理基板周辺に設置された部材121への電力供給線と、前記電力供給線へ電力を供給する電力供給装置105と、可変容量コンデンサを介した給電線と直結の給電線を切り替えるスイッチ124とを有するプラズマ処理装置であって、被処理基板104への接続線がスイッチ124のカ変容量コンデンサを介して電力供給装置105に接続されるか可変容量コンデンサを介さずに直接電力供給装置105に接続可能に構成され、被処理基板周辺に設置された部材121への電力供給線は該電力供給装置105に直結される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板への電力供給線と被処理基板周辺に設置された部材への電力供給線と、前記電力供給線へ電力を供給する電力供給装置と、インピーダンス調整手段とを有するプラズマ処理装置であって、 被処理基板への接続線がインピーダンス調整手段を介して電力供給装置に接続されるかインピーダンス調整手段を介さずに直接電力供給装置に接続可能に構成され、被処理基板周辺に設置された部材への電力供給線は該電力供給装置に直結されている ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 R ,  H05H1/46 A

Fターム (11件)：

5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004BA06 ,  5F004BA16 ,  5F004BB07 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA07 ,  5F004CA08 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01