特許
J-GLOBAL ID：200903014061401080
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068156
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 発光強度に優れるLED等の発光素子を提供する、発光層の重層構成を具備してなるIII 族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 III 族窒化物半導体発光素子において、n形III 族窒化物半導体層とp形III 族窒化物半導体層との間に、少なくとも1層の、層厚を10nm以下とし、不純物をドーピングしないアンドープ窒化ガリウム・インジウム(Gax In1-x N:0≦x≦1)層と、少なくとも1層の、層厚を10nm以上とし、n形不純物或いはp形不純物の少なくとも一方をドーピングした、インジウム濃度を相違する複数の相からなる多相構造の窒化ガリウム・インジウム(GaxIn1-x N:0≦x≦1)層とからなる合計の層厚を12nm以上とする重層した発光層(以下、重層発光層)を具備する。
請求項（抜粋）：
n形III 族窒化物半導体層とp形III 族窒化物半導体層との間に、少なくとも1層の、層厚を10nm以下とし、不純物をドーピングしないアンドープ窒化ガリウム・インジウム(Gax In1-x N:0≦x≦1)層と、少なくとも1層の、層厚を10nm以上とし、n形不純物或いはp形不純物の少なくとも一方をドーピングした、インジウム濃度を相違する複数の相からなる多相構造の窒化ガリウム・インジウム(Gax In1-x N:0≦x≦1)層とからなる合計の層厚を12nm以上とする重層した発光層(以下、重層発光層)を具備したIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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